İçeriğe atla

Silisyum

Silisyum
Adlandırmalar
silicon, Si, 14
Özellikler
Molekül formülüSi
Molekül kütlesi28.08553
Görünüm Katı
Yoğunluk2.3290 g·cm−3
Erime noktası1687 K, 1414 °C, 2577 °F
Kaynama noktası3538 K, 3265 °C, 5909 °F
Aksi belirtilmediği sürece madde verileri, Standart sıcaklık ve basınç koşullarında belirtilir (25 °C [77 °F], 100 kPa).

Silisyum, yeryüzünde en çok bulunan elementlerden biridir. Atom numarası (proton sayısı) 14'tür. "Si" simgesi ile gösterilir. Oda sıcaklığında katı hâldedir. Yarı iletken özelliğe sahip oluşu ve doğada, ormanlarda, doğal yaşam alanlarında çok bulunması, transistör, diyot ve elektronik hafızalarda kullanılabilmesinin pratik ve hızlı oluşu, entegre devrelerin ve bilgisayarların silisyum teknolojisi ile inşa edilmesini sağlamıştır. "Silikon Vadisi" ismi, silisyumun (ingilizcede silicon) bilgisayar teknolojilerindeki bu yaygın kullanımından gelmektedir.

Silisyum, periyodik tabloda 4A grubunda 3. periyotta bulunur. Nötr haldeki elektron dizilimi ilk katmanda 2, ikinci katmanda 8, üçüncü katmanda 4'tür (yani 4 adet valans elektron vardır). Kararlı yapısı yoktur (yani nötr halde bulunur). Yoğunluğu 2,33 g/cm3'dür. Diyamanyetik bir elementtir. Bağıl atom kütlesi (izotoplarının ortalama kütlesi) 28,0855'tir.

Kararlı hale geçerken aldığı yükler nedeniyle ve ayrıca doğada çok bulunduğu için yakın gelecekte tıpkı karbon selektörleri olduğu gibi silisyum selektörlerinin de var olacağı tahmin edilmektedir.

Camın ana maddesi kum olarak bilinir. Bunun sebebi camın asıl hammaddesi olan silisyumun kumda, özellikle de deniz kumunda çok bulunmasıdır.

Keşif

Jöns Jacob Berzelius 1823'te silikon elementini keşfetti.

1787'de Antoine Lavoisier silikanın temel bir kimyasal elementin oksidi olabileceğinden şüphelendi,[1] ancak silisyumun oksijene olan kimyasal afinitesi o kadar yüksek ki oksidi indirgemek ve elementi izole etmek için hiçbir yolu yoktu.[2]

1808'de silisyumu izole etme girişiminden sonra Sir Humphry Davy, silikon için Latince silex, çakmaktaşı için silicis kelimesinden türetilen ve metal olduğuna inandığı için "-ium" sonunu ekleyerek "silicium" adını önerdi.[3]

Gay-Lussac ve Thénard'ın 1811'de yakın zamanda izole edilmiş potasyum metalinin silikon tetraflorür ile ısıtılması yoluyla saf olmayan amorf silisyumu hazırladıkları düşünülür, ancak ürünü saflaştırıp karakterize etmediler ve onu yeni bir element olarak tanımlamadılar.[4]

Silikona bugünkü adı 1817'de İskoç kimyager Thomas Thomson tarafından verildi. Davy'nin isminin bir kısmını korudu ancak silikonun bor ve karbona benzer bir ametal olduğuna inandığı için "-on" kelimesini ekledi.[5]

Silisyumun keşfi 1824 yılında İsveçli kimyager Jöns Jakob Berzelius tarafından gerçekleştirilmiştir. Silisyum bundan önce de kullanılıyordu ancak element olarak ne olduğu bilinmiyordu.

Silisyum doğada siliksat asidi (mSiO2.nH2O) ve tuzları hâlinde bulunur. Yerkabuğunun yaklaşık %25,7'si bu elementten oluşur. Oksijenden sonra bileşikleri hâlinde en fazla bulunan elemen silisyumdur. Silisyum dioksit (SiO2) doğada kum ve kuartz şeklinde bulunur.

Silisyumun iki tane allotropu vardır. Bunlardan birincisi saf kristal silisyumdur. Saydam olmayan koyu gri renkli, parlak sert ve kırılgan olup örgü yapısı elmasa benzer. Diğeri ise amorf silisyumdur. Koyu kahverengi renkli olup tane büyüklüğü nedeni ile kristal silisyumdan ayırt edilebilir. Kolay reaksiyona girer.

Saf olarak silisyum eldesi, silisyum dioksitin (SiO2) kok kömürü (grafit) ile elektrikli fırında bileşenlerine indirgenmesi sonucunda gerçekleşir. Gerekenden daha fazla karbon kullanılırsa silisyum karbür (SiC) oluşur.

SiO2 + 2C → Si + 2CO

Silisyum klorür (SiCl4) önce fraksiyonlu destilasyon yöntemi ile saflaştırılır. Daha sonra hidrojen ile indirgenir. Bu şekilde saf silisyum elde edilir.

SiCl4 + 2H2 → Si + 4HCl

Silisyumlu yarı iletkenler

İlk yarı iletken cihazlar silisyum değil galenit kullanırdı; bunlar arasında Alman fizikçi Ferdinand Braun'un 1874'teki kristal dedektörü ve Hint fizikçi Jagadish Chandra Bose'un 1901'deki radyo kristal dedektörü de vardı.[6][7]

İlk silisyumlu yarı iletken cihaz, 1906'da Amerikalı mühendis Greenleaf Whittier Pickard tarafından geliştirilen silisyum radyo kristal dedektörüydü.[7]

1940 yılında Russell Ohl silisyumdaki p-n bağlantısını ve fotovoltaik etkilerini keşfetti.

1941'de, II. Dünya Savaşı sırasında radar mikrodalga dedektör kristalleri için yüksek saflıkta germanyum ve silisyum kristalleri üretme teknikleri geliştirildi.[6]

1947'de fizikçi William Shockley, germanyum ve silikondan yapılmış alan etkili amplifikatör teorisini ortaya attı ancak bunun yerine germanyumla çalışmaya başlamadan önce çalışan bir cihaz yapmayı başaramadı. Çalışan ilk transistör aynı yıl John Bardeen ve Walter Brattain tarafından Shockley'in idaresinde çalışırken yapılan nokta temaslı transistördü.[8]

1954'te fiziksel kimyager Morris Tanenbaum, Bell Laboratuvarlarında ilk silisyum bağlantı transistörünü yaptılar.[9]

1955'te Bell Laboratuarlarından Carl Frosch ve Lincoln Derick kazara silisyum dioksitin (SiO2) silisyum üzerinde büyüyebileceğini keşfettiler[10] ve daha sonra 1958'de bunun difüzyon süreçleri sırasında silisyum yüzeyleri maskeleyebileceğini öne sürdüler.[11]

Silisyum Çağı

MOS transistörü olarak da bilinen MOSFET, Silisyum Çağının temel bileşenidir. 1959'da Bell Laboratuvarları’nda Mohamed M. Atalla ve Dawon Kahng tarafından icat edildi.

"Silisyum Çağı", 20. yüzyılın sonlarından 21. yüzyılın başlarına kadar olan dönemi ifade eder.[12][13][14] Bunun nedeni, Taş Devri, Bronz Çağı ve Demir Çağı'nın kendi uygarlık çağlarında baskın malzemeler tarafından tanımlanmasına benzer şekilde, Silisyum Çağı'nın (Dijital Çağ veya Bilgi Çağı olarak da bilinir) baskın malzemesinin silisyum olmasıdır.[12]

Silisyumun yüksek teknolojili yarı iletken cihazlarda önemli bir unsur olması nedeniyle dünyanın birçok yeri onun adını taşır. Örneğin, Kaliforniya'daki Santa Clara Vadisi, elementin oradaki yarı iletken endüstrisinde temel malzeme olması nedeniyle Silikon Vadisi takma adını almıştır. O zamandan bu yana, İsrail'deki Silicon Wadi dahil olmak üzere pek çok başka yer de benzer şekilde adlandırılmıştır; Oregon'da Silisyum Ormanı; Teksas, Austin’de Silisyum Tepeleri; Utah, Salt Lake City'de Silikon Yamaçları; Almanya'da Silisyum Saksonya; Hindistan'da Silisyum Vadisi; Meksika, Mexicali‘de Silisyum Sınırı; İngiltere, Cambridge’de Silisyum Fen; Londra'da Silisyum Roundabout; İskoçya'da Silisyum Glen; İngiltere, Bristol'de Silikon Gorge; New York'ta Silisyum Sokağı ve Los Angeles'ta Silisyum Sahili.[15]

Kaynakça

  1. ^ In his table of the elements, Lavoisier listed five "salifiable earths", i.e., ores that could be made to react with acids to produce salts (salis = salt, in Latin): chaux (calcium oxide), magnésie (magnesia, magnesium oxide), baryte (barium sulfate), alumine (alumina, aluminium oxide), and silice (silica, silicon dioxide). About these "elements", Lavoisier speculates: "We are probably only acquainted as yet with a part of the metallic substances existing in nature, as all those which have a stronger affinity to oxygen than carbon possesses, are incapable, hitherto, of being reduced to a metallic state, and consequently, being only presented to our observation under the form of oxyds, are confounded with earths. It is extremely probable that barytes, which we have just now arranged with earths, is in this situation; for in many experiments it exhibits properties nearly approaching to those of metallic bodies. It is even possible that all the substances we call earths may be only metallic oxyds, irreducible by any hitherto known process." – from Lavoisier (1799). Elements of Chemistry. 4. Robert Kerr tarafından çevrildi. Edinburgh, Scotland: William Creec. s. 218.  (The original passage appears in: Lavoisier (1789). Traité Élémentaire de Chimie. 1. Paris: Cuchet. s. 174. 
  2. ^ Greenwood & Earnshaw 1997, s. 328.
  3. ^ Davy, Humphry (1808). "Electro chemical researches, on the decomposition of the earths; with observations on the metals obtained from the alkaline earths, and on the amalgam procured from ammonia". Philosophical Transactions of the Royal Society of London (İngilizce). Cilt 98. W. Bowyer and J. Nichols. ss. 333-370. . On p. 353 Davy coins the name "silicium" : "Had I been so fortunate as to have obtained more certain evidences on this subject, and to have procured the metallic substances I was in search of, I should have proposed for them the names of silicium [silicon], alumium [aluminium], zirconium, and glucium [beryllium]."
  4. ^ Gay-Lussac, Joseph Louis; Thénard, Louis Jacques baron (1811). Recherches physico-chimiques, faites sur la pile: sur la préparation chimique et les propriétés du potassium et du sodium; sur la décomposition de l'acide boracique; sur les acides fluorique, muriatique et muriatique oxigéné; sur l'action chimique de la lumière; sur l'analyse végétale et animale, etc (Fransızca). Deterville.  pp. 313–314; vol. 2, pp. 55–65.
  5. ^ Thomson, Thomas; Baldwin, Charles; Blackwood, William; Baldwin, Cradock; Bell & Bradfute, bookseller; Hodges & McArthur, bookseller (1817). A system of chemistry : in four volumes. University of Wisconsin - Madison. London : Printed for Baldwin, Craddock, and Joy, Paternoster-Row; William Blackwood, and Bell and Bradfute, Edinburgh; and Hodges and Macarthur, Dublin. s. 252. : "The base of silica has been usually considered as a metal, and called silicium. But as there is not the smallest evidence for its metallic nature, and as it bears a close resemblance to boron and carbon, it is better to class it along with these bodies, and to give it the name of silicon."
  6. ^ a b "Timeline". The Silicon Engine. Bilgisayar Tarihi Müzesi. 5 Temmuz 2021 tarihinde kaynağından arşivlendi. Erişim tarihi: 22 Ağustos 2019. 
  7. ^ a b "1901: Semiconductor Rectifiers Patented as "Cat's Whisker" Detectors". The Silicon Engine. Bilgisayar Tarihi Müzesi. 25 Nisan 2021 tarihinde kaynağından arşivlendi. Erişim tarihi: 23 Ağustos 2019. 
  8. ^ "1947: Invention of the Point-Contact Transistor". The Silicon Engine. Computer History Museum. 30 Eylül 2021 tarihinde kaynağından arşivlendi. Erişim tarihi: 23 Ağustos 2019. 
  9. ^ "1954: Morris Tanenbaum fabricates the first silicon transistor at Bell Labs". The Silicon Engine. Bilgisayar Tarihi Müzesi. 17 Nisan 2021 tarihinde kaynağından arşivlendi. Erişim tarihi: 23 Ağustos 2019. 
  10. ^ Bassett, Ross Knox (2007). To the Digital Age: Research Labs, Start-up Companies, and the Rise of MOS Technology. Johns Hopkins University Press. ss. 22-23. ISBN 978-0-8018-8639-3. 
  11. ^ Saxena, A. (2009). Invention of integrated circuits: untold important facts. International series on advances in solid state electronics and technology. World Scientific. ss. 96-97. ISBN 978-981-281-445-6. []
  12. ^ a b Feldman, Leonard C. (2001). "Introduction". Fundamental Aspects of Silicon Oxidation. Springer Science & Business Media. ss. 1-11. ISBN 978-3-540-41682-1. 
  13. ^ Dabrowski, Jarek; Müssig, Hans-Joachim (2000). "1.2. The Silicon Age". Silicon Surfaces and Formation of Interfaces: Basic Science in the Industrial World. World Scientific. ss. 3-13. ISBN 978-981-02-3286-3. 
  14. ^ Siffert, Paul; Krimmel, Eberhard (2013). "Preface". Silicon: Evolution and Future of a Technology. Springer Science & Business Media. ISBN 978-3-662-09897-4. 
  15. ^ Uskali, T.; Nordfors, D. (23 Mayıs 2007). "The role of journalism in creating the metaphor of Silicon Valley" (PDF). Innovation Journalism 4 Conference, Stanford University. 7 Eylül 2012 tarihinde kaynağından (PDF) arşivlendi. Erişim tarihi: 8 Ağustos 2016. 

İlgili Araştırma Makaleleri

<span class="mw-page-title-main">LED</span> yarı-iletken, diyot temelli, ışık yayan bir elektronik devre elemanıdır

LED, yarı-iletken, diyot temelli, ışık yayan bir elektronik devre elemanıdır. 1920'lerde Rusya Sovyet Federatif Sosyalist Cumhuriyeti'nde icat edildi ve 1962 yılında Amerika'da pratik olarak uygulanabilen elektronik bir bileşen haline getirildi. Oleg Vladimirovich Losev adlı bir radyo teknisyeni radyo alıcılarında kullanılan diyotların ışık yaydığını fark etti ve 1927 yılında bir Sovyet gazetesinde LED hakkında buluşlarını yayımladı.

<span class="mw-page-title-main">Silikon</span>

Silikon veya polisiloksan, siloksanlardan (−R2Si−O−SiR2−, burada R = organik grup) oluşan bir polimerdir. Bunlar genellikle renksiz yağlar veya kauçuk benzeri maddelerdir. Silikonlar, dolgu macunlarında, yapıştırıcılarda, yağlayıcılarda, tıpta, pişirme kaplarında, ısı ve elektrik yalıtımında kullanılır. Bazı yaygın biçimler arasında silikon yağı, silikon gresi, silikon kauçuk, silikon reçine ve silikon kalafat bulunur.

<span class="mw-page-title-main">Mineral</span> inorganik kristalleşmiş katı madde

Mineral, doğal şekilde oluşan, homojen, belirli kimyasal bileşime sahip inorganik kristalleşmiş katı bir maddedir. Buna göre minerallerin özellikleri şöyledir; doğal olarak oluşur, herhangi bir parçası bütününün özelliklerini taşır, belirli bir kimyasal formülü vardır, katı hâlde olup nadiren sıvıdır ve inorganiktir.

<span class="mw-page-title-main">Kuvars</span> saf silisyum dioksit (SiO2) kristallerine verilen ad

Kuvars, oldukça saf silisyum dioksit (SiO2) kristallerine verilen addır. Silisyum ve oksijen atomlarından oluşan sert, kristalli bir mineraldir. Birçoğu yarı değerli taşlar olan birçok farklı kuvars çeşidi vardır. Antik çağlardan beri, kuvars çeşitleri, özellikle Avrasya'da mücevher ve sert taş oymalarının yapımında en çok kullanılan mineraller olmuştur.

<span class="mw-page-title-main">Yarı iletken</span> Normal şartlar altında yalıtkan iken belirli fiziksel etkilerde iletken duruma geçen madde

Yarı iletken üzerine yapılan mekanik işin etkisiyle iletken özelliği kazanabilen, normal şartlar altında yalıtkan olan maddelerdir.

<span class="mw-page-title-main">Transistör</span> Devre elemanı

Transistör veya geçirgeç girişine uygulanan sinyali yükselterek gerilim ve akım kazancı sağlayan, gerektiğinde anahtarlama elemanı olarak kullanılan yarı iletken bir elektronik devre elemanıdır. BJT çift birleşim yüzeyli transistördür. İki N maddesi, bir P maddesi (NPN) ya da iki P maddesi, bir N maddesi (PNP) birleşiminden oluşur. Transistör üç kutuplu bir devre elemanıdır. Devre sembolü üzerinde orta kutup Base (B), okun olduğu kutup Emitter (E), diğer kutup Collector(C) olarak adlandırılır. Base akımının şiddetine göre kollektör ve emiter akımları ayarlanır. Bu ayar oranı kazanç faktörüne göre değişir. Transistörler elektronik cihazların temel yapı taşlarındandır. Günlük hayatta kullanılan elektronik cihazlarda birkaç taneden birkaç milyara varan sayıda transistör bulunabilir.

<span class="mw-page-title-main">Louis Ignarro</span>

Louis J. Ignarro Amerikalı farmakolog. Nitrik oksitin etkileşimlerini gösteren çalışmasıyla Robert F. Furchgott ve Ferid Murad ile birlikte 1998 Nobel Fizyoloji veya Tıp Ödülü'nü almıştır. 1985 yılından beri UCLA Tıp Fakültesi'nde farmakoloji profesörü olarak çalışmaktadır. Araştırmaları konusunda birçok makale yayınlamış olan Ignarro, kardiyovasküler bilimin ilerlemesine yaptığı katkılar nedeniyle 1998'de Amerikan Kalp Derneği'nin Temel Araştırma Ödülü'nü de almıştır. Aynı yıl ABD Ulusal Bilimler Akademisi'ne, bir sonraki yıl ise Amerikan Sanat ve Bilimler Akademisi'ne kabul edilmiştir.

<span class="mw-page-title-main">Germanyum</span> sembolü GE, atom numarası 32 olan kimyasal element

Germanyum; sembolü Ge, atom numarası 32 olan kimyasal elementtir. Parlak, sert-kırılgan, grimsi-beyaz ve silikona benzer bir görünümdedir. Silisyum ve kalay komşu grubuna kimyasal olarak benzeyen karbon grubundaki bir metaloiddir. Silikon gibi, germanyum da doğal olarak reaksiyona girer ve doğadaki oksijenle kompleksler oluşturur.

<span class="mw-page-title-main">Güneş pili</span>

Güneş pili, Güneş Hücresi, Güneş Gözesi veya fotovoltaik hücre, fiziksel ve kimyasal bir fenomen olan fotovoltaik etki ile ışığın enerjisini doğrudan elektriğe dönüştüren elektrikli bir araçtır. Akım, voltaj veya direnç gibi elektriksel özellikleri ışığa maruz kaldığında değişen bir araç olarak tanımlanabilen bir fotoelektrik hücre formudur. Güneş hücreleri, genellikle halk arasında güneş panelleri ya da modülleri olarak bilinen fotovoltaik cihazların elektriksel yapı taşlarıdır. Genel olarak tek bağlantılı silisyum güneş hücresi, yaklaşık 0,5 ila 0,7 voltluk bir maksimum açık devre gerilimi üretebilir.

<span class="mw-page-title-main">Silikat</span> mineral grubu

Silikat, mineral grupları arasında en geniş gruptur.

<span class="mw-page-title-main">MOSFET</span> Elektronik devre bileşeni

Metal oksit yarı iletken alan etkili transistör bir tür alan etkili transistör (FET)’dür ve daha çok silisyum'un kontrollü oksitlenmesi ile üretilir. Voltajı cihazın iletkenliğini belirleyen yalıtımlı bir kapısı vardır. Uygulanan voltaj miktarıyla iletkenliği değiştirme özelliği, elektronik sinyal’lerin güçlendirilmesi veya değiştirilmesi için kullanılabilir.

<span class="mw-page-title-main">Fotodiyot</span> p-n bağlantısına dayalı fotodetektör türü

Fotodiyot, görünür ışık, kızılötesi veya ultraviyole radyasyon, X ışınları ve gama ışınları gibi foton radyasyonuna duyarlı bir yarı iletken diyottur. Fotodiyot, fotonları emdiğinde akım veya voltaj Fotovoltaikleri üreten bir PN yarı iletken malzemedir.Semiconductor Optoelectronics .

<span class="mw-page-title-main">Entegre devre</span> genellikle silikondan yapılmış yarı iletken maddeler ile tasarlanmış metal bir levha üzerine yerleştirilen elektronik devreler grubu

Entegre devre, entegre, tümdevre, yonga, kırmık, çip, mikroçip ya da tümleşik devre; genellikle silisyumdan yapılmış yarı iletken maddeler ile tasarlanmış, metal bir levha üzerine yerleştirilen ve bir muhafaza ile kaplanan elektronik devreler grubudur. Entegreler, komponentleri ayrık olan elektronik devrelerden genellikle daha küçük boyutludur. Entegre devreler çok küçük bir alanda milyarlarca transistör ve elektronik devre elemanı içerecek kadar küçültülebilir. Bir devre içerisindeki her bir iletken sıranın genişliği teknolojinin elverdiği ölçüde küçültülebilir. Entegre devreler küçük boyutu, hafifliği ve kullanım kolaylığı ile günümüzün modern elektronik sektöründe çok önemli bir yer tutmaktadır.

Monokristalin silikon bugün hemen hemen her elektronik ekipmanda kullanılan mikroçipler için temel bir malzemedir. Monokristalin silikon fotovoltaikde, güneş hücrelerinde ışık emici madde olarak kullanılır.

<span class="mw-page-title-main">Silisyum dioksit</span>

Silisyum dioksit veya silika, oksijen ve silisyum içeren kimyasal bileşik. Kimyasal formülü SiO2'dir. 16. yüzyıldan beri bilinmektedir. Cam, beton, fayans, porselen gibi birçok maddede kullanılmaktadır. SiO2, daha çok herhangi bir malzeme yerine, kristalin formları (polimorf) şeklinde bulunmaktadır. Kuvars, topaz ve ametist gibi 17 farklı kristal formu vardır.

Şablon:KristalleştirmeCzochralski yöntemi, ayrıca Czochralski tekniği veya Czochralski işlemi, yarı iletkenlerin tek kristallerini, metalleri, tuzları ve sentetik değerli taşları elde etmek için kullanılan bir kristal büyütme yöntemidir. Metoda, 1915 yılında metallerin kristalleşme oranlarını araştırırken icat eden Polonyalı bilim adamı Jan Czochralski'nin adı verilmiştir. Czochralski ilgili keşfi tesadüfen yapmıştır: Kalemini mürekkep haznesine daldırmak yerine erimiş kalaya daldırmış ve kağıda daha sonra tek bir kristal olduğunu anladığı kalay bir filaman çekmiştir.

<span class="mw-page-title-main">Amorf silisyum</span>

Amorf silisyum (a-Si), güneş pilleri ve LCD‘lerdeki ince-film transistörlerde kullanılan, silisyumun kristal olmayan halidir.

<span class="mw-page-title-main">Fairchild Semiconductor</span>

Fairchild Semiconductor International, Inc., Amerika Birleşik Devletleri merkezli bir yarı iletken şirketiydi. Şirket, 1 Ekim 1957 tarihinde Fairchild Camera and Instrument'in bir bölümü olarak kurulmuş olup transistör ve entegre devre üretiminde öncüydü. Şirketin merkezi Kaliforniya'nın Sunnyvale kentinde yer almaktaydı.

<span class="mw-page-title-main">Oleg Vladimirovich Losev</span> Russian scientist and inventor

Oleg Vladimirovich Losev yarı iletken bağlantılar ve ışık yayan diyot (LED) alanında önemli keşifler yapan bir Rus bilim insanı ve mucitidir.

<span class="mw-page-title-main">Minyatürleştirme</span>

Minyatürleştirme, giderek daha küçük mekanik, optik ve elektronik ürünler ve cihazlar üretme eğilimidir. Örnekler arasına cep telefonlarının, bilgisayarların minyatürleştirilmesi ve araç motorlarının küçültülmesi de girmektedir. Elektronikte, silikon MOSFET'lerin üstel ölçeklendirilmesi ve minyatürleştirilmesi, Moore yasası olarak bilinen bir gözlem olarak, entegre devre çipindeki transistör sayısının her iki yılda bir ikiye katlanmasına yol açmaktadır. Bu durum, mikroişlemciler ve bellek çipleri gibi MOS entegre devrelerin artan transistör yoğunluğu, daha hızlı performans ve daha düşük güç tüketimi ile üretilmesine yol açarak elektronik cihazların minyatürleştirilmesini sağlamaktadır.