Schottky diyot (adını Alman fizikçi Walter H. Schottky'den almıştır), bir yarı iletkenin bir metal ile birleşiminden oluşan yarı iletken bir diyottur. Düşük bir forward voltaj düşüşüne ve çok hızlı bir anahtarlama hareketine sahiptir.[1]
| Yarı iletkenler |
|
|---|---|
| Vakum tüpleri |
|
| Vakum tüpler (RF/Mikrodalga) | |
| Ayarlanabilirler | |
| Pasif | |
| Reaktif |
|
| Bu madde bir . Bu maddeyi geliştirerek veya özelleştirilmiş birini koyarak Vikipedi'ye katkıda bulunabilirsiniz. |
LED, yarı-iletken, diyot temelli, ışık yayan bir elektronik devre elemanıdır. 1920'lerde Rusya Sovyet Federatif Sosyalist Cumhuriyeti'nde icat edildi ve 1962 yılında Amerika'da pratik olarak uygulanabilen elektronik bir bileşen haline getirildi. Oleg Vladimirovich Losev adlı bir radyo teknisyeni radyo alıcılarında kullanılan diyotların ışık yaydığını fark etti ve 1927 yılında bir Sovyet gazetesinde LED hakkında buluşlarını yayımladı.
Elektronik devre elemanları, elektrik devresinin çalışabilmesi için kullanılan parçalara denir. Aktif ve pasif devre elemanları olarak iki gruba ayrılır.
Diyot, yalnızca bir yönde akım geçiren devre elemanıdır. Bir yöndeki dirençleri ihmal edilebilecek kadar küçük, öbür yöndeki dirençleri ise çok büyük olan elemanlardır.
Yarı iletken üzerine yapılan mekanik işin etkisiyle iletken özelliği kazanabilen, normal şartlar altında yalıtkan olan maddelerdir.
Transistör veya geçirgeç girişine uygulanan sinyali yükselterek gerilim ve akım kazancı sağlayan, gerektiğinde anahtarlama elemanı olarak kullanılan yarı iletken bir elektronik devre elemanıdır. BJT çift birleşim yüzeyli transistördür. İki N maddesi, bir P maddesi (NPN) ya da iki P maddesi, bir N maddesi (PNP) birleşiminden oluşur. Transistör üç kutuplu bir devre elemanıdır. Devre sembolü üzerinde orta kutup Base (B), okun olduğu kutup Emitter (E), diğer kutup Collector(C) olarak adlandırılır. Base akımının şiddetine göre kollektör ve emiter akımları ayarlanır. Bu ayar oranı kazanç faktörüne göre değişir. Transistörler elektronik cihazların temel yapı taşlarındandır. Günlük hayatta kullanılan elektronik cihazlarda birkaç taneden birkaç milyara varan sayıda transistör bulunabilir.
Doğrultucu veya redresör, bir ya da daha fazla yarı iletken elemandan oluşan alternatif akımı doğru akıma çevirmek için kullanılan elektriksel bir devredir. AC' yi doğrultmak için tek bir diyot kullanıldığı zaman doğrultucu AC' yi DC' ye çeviren bir diyod olarak tanımlanır.
Zener diyot, P ve N tipi yarı iletken malzemelerden oluşmuştur, silikon yapılıdır. Uçlarına uygulanan gerilimi sabit tutmaya yarayan diyotlardır. Zener diyotlar belli bir gerilim değerine kadar akım geçirmezler. Bu gerilime kırılma ya da zener gerilimi (Vz) adı verilir. Devreye doğru yönde bağlandığı zaman normal bir diyot gibi çalışır. Ters yönde bağlandığı zaman ise kırılma gerilimine kadar iletime geçmez, kırılma gerilimi aşıldığında ise çığ etkisi şeklinde akım geçirir ve iletime geçer. Ters gerilim kalkınca, zener diyot da normal haline döner. Zener diyotlar ters polarlamada çalıştıkları için devreye ters bağlanırlar. Zener noktası değeri üretim aşamasında katkı maddesi miktarı ayarlanarak belirlenir.
Yarı metaller, metallerle tepkime verirken ametal, ametallerle tepkime verirken de metal gibi davranır. Genellikle kristal yapıda bulunurlar. Ayrıca yarı iletken özellikleri vardır. Diyot ve transistör gibi modern elektroniğin temel parçalarının ham maddeleridirler. Bor, Silisyum, Germanyum, Arsenik, Antimon, Tellür ve Polonyum, yarı metallere örnektir. Bu elementlerin fiziksel özellikleri metallere, kimyasal özellikleri ametallere benzer.
Pin diyot, P+-I-N+ yapıya sahip diyotlardır. P+ ve N+ bölgelerinin katkı maddesi oranları yüksek ve I bölgesi büyük dirençlidir.
Metal oksit yarı iletken alan etkili transistör bir tür alan etkili transistör (FET)’dür ve daha çok silisyum'un kontrollü oksitlenmesi ile üretilir. Voltajı cihazın iletkenliğini belirleyen yalıtımlı bir kapısı vardır. Uygulanan voltaj miktarıyla iletkenliği değiştirme özelliği, elektronik sinyal’lerin güçlendirilmesi veya değiştirilmesi için kullanılabilir.
Mikrodalga diyotları, mikrodalga frekansları; uzay haberleşmesi, kıtalar arası televizyon yayını, radar, tıp, endüstri gibi çok geniş kullanım alanları vardır. Giga Hertz (GHz) mertebesindeki frekanslardır.
Fotosel, Fotodetektör, ışık sensörü, optik dedektör, optoelektronik sensör 'ler fotoelektrik etki kullanarak algıladığı ışını elektrik sinyaline dönüştüren veya gelen radyasyona bağlı bir elektrik direnci gösteren bir sensör'dür. Optoelektronik'te "ışık" terimi yalnızca görünür ışığı değil aynı zamanda görünmez kızılötesi ışığı ve ultraviyole radyasyonu'nu da ifade eder.
Vakum tüpü ya da elektron tüpü, elektronik devrelerde kullanılan bir grup devre elemanıdır. Tüplerin pek çok cinsi vardır. Yirminci yüzyılın ilk yarısında bütün elektronik devrelerde kullanılmışlarsa da, yarı iletken teknolojisinin gelişmesi sonucunda kullanım alanları daralmıştır.
Işık yayan diyot lambası, ışık kaynağı olarak Işık yayan diyotlar (LED'ler) kullanan katı hal lambasıdır. "LED lambası" genellikle Organik ışık yayan diyotlar (OLED) veya polimer ışık yayan diyotlar (PLED) teknolojileri gibi, geleneksel yarı iletken ışık yayan diyotları ifade ederken OLED ve PLED teknolojileri ticari olarak kullanılmaya başladı.
Bir nanoanten, ışığı elektrik gücüne dönüştürmek için geliştirilmiş deneysel bir teknoloji olan nanoskopik rektifiye bir antendir. Yani nanoantenler ile ilgili kavram kablosuz güç iletiminde kullanılan bir cihaz olan rektifiye antenlere dayanır. Bir rektifiye anten radyo dalgalarını doğru akıma dönüştüren özelleştirilmiş bir radyo antenidir. Işık, radyo dalgalarına benzeyen elektromanyetik dalgalardan oluşur fakat; daha küçük dalga boylarına sahiptir. Bir nanoanten, nanoteknoloji kullanılarak üretilmiş, ışık için anten görevi gören ve ışığı elektrik akımına dönüştüren, hemen hemen bir ışık dalgası boyutunda olan çok küçük rektifiye antendir. Nanoanten dizilerinin geleneksel güneş pillerine göre daha verimli bir şekilde güneş ışığını elektrik gücüne dönüştüren bir araç olmaları beklenir. Bu fikir ilk olarak Robert L. Bailey tarafından 1972 yılında ortaya atılmıştır. 2012 itibarıyla enerji dönüşümünün mümkün olduğunu gösteren sadece birkaç adet nanoanten cihazı üretilebilmiştir. Nanoantenlerin bir gün fotovoltaik piller kadar etkin maliyetli olabilecekleri halen bilinememektedir. Bir nanoanten, nanoantenin boyutuna uygun spesifik dalga boylarını absorbe etmek için tasarlanmış bir elektromanyetik kollektördür. Bu günlerde Idaho Ulusal Laboratuvarları 3-15 μm uzunluğundaki dalga boylarını absorbe etmek üzere tasarlanmış bir nanoanten tasarlamaktadır. Bu dalga uzunluğu 0.08 - 0.4 eV foton enerjisine karşılık gelir. Anten teorisine göre, bir nanoanten, nanoantenin boyutu belirli bir dalga boyu için optimize edilmiş olmak koşuluyla, herhangi bir dalgaboyundaki ışığı verimli bir şekilde absorbe edebilir. İdeal olarak nanoantenler 0.4 - 1.6 μm arasındaki dalga boylarını absorbe etmek için kullanılmalıdırlar. Çünkü bu aralıktaki dalga boyları, uzak- kızılötesinden daha yüksek enerjiye sahiptirler ve solar radyasyon spektrumunun yaklaşık olarak %85'ini oluştururlar.
Isamu Akasaki, yarı iletken teknoloji alanında uzmanlaşmış Japon bilim insanı ve Nobel Ödülü sahibidir. 1989'da parlak galyum nitrid (GaN) p-n jonksiyonu mavi LED'i ve daha sonradan yüksek parlaklıkta GaN mavi LED'i icat etmesi ile bilinir.
Hiroshi Amano, Japon fizikçi ve yarı iletken teknolojisinde uzman mucit. 2014 Nobel Fizik Ödülü'nü Isamu Akasaki ve Shuji Nakamura ile yaptığı "parlak ve enerji tasarruflu beyaz ışık kaynaklarını etkinleştiren yeterli mavi ışık yayıcı diyotların icadı" için kazanmıştır.
Avalanş diyot elektronik devrelerde kullanılan bir yarı iletken diyot türüdür. Diyoda adını veren avalanş (avalanche) Batı dillerinde çığ anlamına gelir.
Uranyum Dioksit, diğer adıyla uranya kimyasal formülü UO2 olan maddedir. Neredeyse siyah renkli veya koyu kahverengi, radyoaktif ve kristal yapıda olan bir madde olup doğal olarak uraninit ve kleveyit minerallerinde bulunmaktadır. Nükleer santrallerde plütonyum ve uranyum dioksit karışımı yakıt çubuklarında kullanılmaktadır. Sarı ve siyah renkli seramiklerde 1960 yılına kadar kullanılmışlardır. Stoksiyometrik özelliklerine bağlı olarak erime sıcaklığı değişkendir.
Elektron deliği, fizik, kimya ve elektronik mühendisliğinde, bir atomda veya atomik kafeste bulunabilecek bir konumda elektron eksikliğidir. Normal bir atom veya kristal kafeste elektronların negatif yükü atom çekirdeğinin pozitif yükü ile dengelendiğinden, elektronun yokluğu deliğin bulunduğu yerde net bir pozitif yük bırakır.
