İçeriğe atla

Mott geçişi

Mott geçişi yoğun madde fiziğinde metal-ametal geçişi için kullanılır. Elektrik alan perdelemesinden dolayı, metalik ortamdaki potansiyel enerji atomun denge pozisyonu çevresinde keskin tepeler oluşturur, elektronlar lokalize olur ve metal ortamdan akım geçmez.

Kavramsal açıklama

Düşük sıcaklıktaki bir yarı iletkende, her 'konum' belli bir sayıda elektrona sahip (atom ya da atom grubu) içerir ve elektriksel olarak nötrdür. Konumdan uzaklaşmak için harekete geçecek olan bir elektron, Coulomb kuvvetleri tarafından (pozitif yüklü) konuma çekildiğinden dolayı, belli bir miktar enerjiye ihtiyaç duyar. Eğer sıcaklık her konum için miktarınca bir enerjiyi sağlayacak kadar yüksekse, Boltzmann dağılımı elektronların önemli bir kısmının konumlarından kaçabilecek kadar enerjiye sahip olduğunu önerir. Konumundan kaçan elektron arkasında bir elektron boşluğu bırakır ve elektrik akımına katkısından dolayı iletim elektronu olarak adlandırılır. Sonuç olarak düşük sıcaklıklarda metaryal yalıtkan iken, yüksek sıcaklıklarda iletken hale geçer.

Mott geçişi bu iki durumun arasındaki noktayı tanımlar. Mott, serbest elektron yoğunluğu N ile Bohr yarıçapı , eşitliğini sağladığında geçişin hemen gerçekleşmesi gerektiğini savundu.

Basitçe Mott geçişi değişik sebeplerden dolayı meteryal özelliklerinin yalıtkan yapıdan iletken yapıya geçişini tanımlar. Bu geçişin gözlemlendiği sistemler: Cıva metal Buhar-Sıvı, metal NH3 çözeltisi, geçiş metal kalgonitleri ve geçiş metal oksitler.[1] Özellikle geçiş metal oksitler içinde, iyi yalıtkandan iyi iletkenlere kadar elektriksel özelliği değişen sistemler bulunabilir. Mott geçişi T(sıcaklık), P(basınç) değişimi ya da (safsızlık katılması) ile gerçekleşen yalıtkan-metal geçişlerini de tanımlar. Mott 1949 yılında yayınladığı makalesinde, bu davranışın temelinde elektronlar arasındaki korelasyonun ve geçişin manyetizma ile olan ilişkisinin yattığını söylemiştir.

Mesela, atomlar katı içinde birbirine yaklaştıkça, elektron durum seviyeleri genişler ve melezleşir. Yaklaşan atomlar öyle bir noktaya gelir ki, elektron bandları üst üste biner ve gerçekte yalıtkan olan meteryal metal özelliği gösterir. Klasik Mott geçişinde bu yalıtkan metal geçişi basınçla sağlanır.

Yarı iletkenlerde, aşılanan safsızlık miktarı Mott geçişini etkiler. Gözlemlerden anlaşıldığı üzere, yarı iletkenlerde yüksek miktarda aşılama, sistemin artan serbest enerjisine bağlı bir iç gerilme (basınç gibi davranır) oluşturmaktadır.[2]

Düşük bariyer vericiden ya da komşusundan tünelleme ya da önceden bahsedilen sebeplerden dolayı bu etki basınç vasıtasıyla artırılabilir.

Metal-yalıtkan geçişlerini içeren diğre örnekler transition include:

  • Mott-Hubbard geçişi. Ti-aşılanmış V2O3 antiferromanyetik yalıtkandan düzensiz manyetik iletken durumuna geçiş yapar.
  • Band çaprazlama geçişi. EuO Curie sıcaklığının altına soğutulurken paramanyetik yarı iletken durumdan ferromanyetik düzene geçer. Tc sıcaklığı altında, europium'un yalıtım bandı elektronları oksijen konumlarını işgal eden atomsuz bölgelerin tuzaklanmasından kurtulmaya yetecek kadar enerjiye sahip olurlar. Elektronların taşınımı sayesinde EuO metalik duruma geçer.[3]
  • Aşılanmış yarı iletkenlerde Mott geçişi, örnek, Si:P, Si:As, Si:B, Si:Ga, vs. Bu geçişler electronik Raman kırınımı tekniği ile çoklukla incelenmiş ve göstetilmiştir.[4]

Tarih

Teori ilk olarak Nevill Francis Mott tarafından 1949'daki makalesinde önerilmiştir.[5] Mott ayrıca 1968 yılında konuyu ayrıntılarıyla ele alan bir makale yazmıştır.[6]

Kaynakça

Notlar

  1. ^ Cyrot, M (1972). "Theory of mott transition : Applications to transition metal oxides". Le Journal de Physique. 33 (125). 
  2. ^ Bose, D. N. (1986). "Doping Dependence of Semiconductor-Metal Transition in InP at High Pressures". Proceedings of the Royal Society of London: A. 405 (1829). JSTOR 2397982. 
  3. ^ Michel Schlenker; Etienne du Trémolet de Lacheisserie; Du Trڳemolet de Lacheisserie, Etienne; Du Trémolet de Lacheisserie, Etienne; Damien Gignoux (2005). Magnetism. Berlin: Springer. ISBN 0-387-22967-1. 
  4. ^ Jain, K., et al., Electronic Raman scattering and the metal-insulator transition in doped silicon, Phys. Rev. B, Vol. 13, 5448 (1976).
  5. ^ N. F. Mott, Proc. Phys. Soc. (London) A62, 416 (1949)
  6. ^ N. F. Mott, Rev. Mod. Phys, 40, pp677--683.

İlgili Araştırma Makaleleri

Fotoelektrik etki ya da fotoemisyon, ışık bir maddeyi aydınlattığında elektronların ya da diğer serbest taşıyıcıların ortaya çıkmasıdır. Bu bağlamda ortaya çıkan elektronlar, fotoelektronlar olarak adlandırılır. Bu olay genellikle elektronik fiziğinde hatta kuantum kimyası ya da elektrokimya gibi alanlarda çalışılır.

<span class="mw-page-title-main">Yarı iletken</span> Normal şartlar altında yalıtkan iken belirli fiziksel etkilerde iletken duruma geçen madde

Yarı iletken üzerine yapılan mekanik işin etkisiyle iletken özelliği kazanabilen, normal şartlar altında yalıtkan olan maddelerdir.

<span class="mw-page-title-main">Lazer</span> ışığın uyarılmış radyasyon ile yükseltilmesini sağlayan bir optik düzenek

Lazer ışığın uyarılmış radyasyon ile yükseltilmesini sağlayan bir optik düzenektir. İsmini "Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation" kelimelerinin baş harflerinden alır ve bu, "ışığın uyarılmış ışıma ile yükseltilmesi" anlamına gelir. İlk lazer, 1960 yılında Theodore Maiman tarafından Charles Townes ve Arthur L. Schawlow'un teorileri baz alınarak üretilmiştir. Lazerin ışıktan daha düşük mikrodalgafrekanslarında çalışan versiyonu olan "maser" ise Townes tarafından 1953 yılında bulunmuştur.

<span class="mw-page-title-main">Pauli dışarlama ilkesi</span> Kuantum mekaniği prensibi: iki özdeş fermiyon aynı anda, aynı kuantum halinde bulunamazlar.

Pauli dışarlama ilkesi ya da Pauli dışlama ilkesi, iki ya da daha çok özdeş fermiyonun aynı kuantum durumda olamayacağını belirten bir kuantum mekaniği yasasıdır. Bu yasa, kuramsal fizikçi Wolfgang Pauli tarafından 1925 yılında bulunmuştur. İlk bulunuşunda yasa yalnızca elektronlar için geçerliyken, 1940 yılında Spin-istatistik teoreminin bulunmasıyla birlikte bütün fermiyonları kapsayacak biçimde genişletilmiştir.

<span class="mw-page-title-main">Elektrik akımı</span> elektrik yükü akışı

Elektrik akımı, elektriksel akım veya cereyan, en kısa tanımıyla elektriksel yük taşıyan parçacıkların hareketidir. Bu yük genellikle elektrik devrelerindeki kabloların içerisinde hareket eden elektronlar tarafından taşınmaktadır. Ayrıca, elektrolit içerisindeki iyonlar tarafından ya da plazma içindeki hem iyonlar hem de elektronlar tarafından taşınabilmektedir.

Süperiletkenlik, süperiletken adı verilen maddelerin karakteristik bir kritik sıcaklığın (Tc) altında derecelere soğutulmasıyla ortaya çıkan, maddenin elektriksel direncinin sıfır olması ve manyetik değişim alanlarının ortadan kalkması şeklinde görülen bir fenomendir. 8 Nisan 1911 tarihinde Hollandalı fizikçi Heike Kamerlingh Onnes tarafından keşfedilmiştir. Ferromanyetizma ve atomik spektrumlar gibi, süperiletkenlik kuantum mekaniğine girer. Karakteristik özelliklerini Meissner efektinden alır; süperiletken, süperiletkenlik durumuna geçerken bütün manyetik alan çizgilerini içeriden dışarıya atar. Meissner efektinin görülmesi de süperiletkenliğin klasik fizik tarafından mükemmel iletkenlik olarak tasvir edilmesini olanaksız hale getirir.

Isı iletkenlik ya da termal iletkenlik, fizikte malzemenin ısı iletim kabiliyetini anlatan bir özelliktir. k harfi ile ifade edilir.

<span class="mw-page-title-main">Plazma</span> gaz haldeki maddelerin manyetik kutuplaştırmaya bağlı doğrusal noktalarda oluşan fiziksel ve kimyasal reaksiyonun kontrollü etkileşim süreci

Plazma, gaz hâldeki maddelerin manyetik kutuplaştırmaya bağlı doğrusal noktalarda oluşan fiziksel ve kimyasal tepkimenin kontrollü etkileşim sürecine verilen genel ad. Daha kolay bir tanımla; atomun elektronlardan arınmış hâlidir.

<span class="mw-page-title-main">Enerji seviyesi</span>

Enerji seviyesi, atom çekirdeğinin etrafında katman katman biçiminde bulunan kısımların her biridir. Bu yörüngelerde elektronlar bulunur. Yörüngenin numarası; 1, 2, 3, 4, ... gibi sayı değerlerini alabilir. Yörünge numarasına baş kuantum sayısı da denir ve "n" ile gösterilir. Yörünge numarası ile yörüngenin çekirdeğe uzaklığı doğru orantılıdır.

Metal-yalıtkan geçişi, elektriksel yük iletkenliği iyi olan metallerden yük iletkenliği pasif hale getirilmiş yalıtkanlara geçişi ifade eder. Bu geçişler basınç veya yarı iletkenlerde aşılama gibi çeşitli parametrelerin değiştirilmesiyle sağlanabilir.

Fermi enerjisi, elektronların toplam kimyasal potansiyeli ya da elektrokimyasal potansiyeli olarak tanımlanır ve µ veya şeklinde gösterilir. Bir cismin Fermi seviyesi, bir termodinamik miktardır ve termodinamik iş, cisme bir elektron eklemeye ihtiyaç duyduğundan ötürü, Fermi seviyesi önemlidir. Fermi seviyesinin açık bir şekilde anlaşılması-elektronik özelliklerin belirlenmesinde Fermi seviyesinin elektronik bağ yapısı ile olan ilişkisi ve bir elektronik devrede Fermi seviyesinin voltaj ve yük akışı ile olan ilişkisi- katı hal fiziğinin anlaşılması için gereklidir.

<span class="mw-page-title-main">Yalıtkan (elektrik)</span>

Elektriksel yalıtkan, elektrik yükünün serbestçe akamadığı maddelerdir. Bu yüzden elektrik alanının etkisi altında kaldıklarında, elektrik akımını iletmeleri zordur. Mükemmel yalıtkanlar bulunmamaktadır. Ancak, cam kâğıt ve polietilen tabanlı vesaire gibi yüksek özdirence sahip bazı maddeler çok iyi elektrik yalıtkanlarıdır. Daha düşük özdirençleri olan maddeler hala elektrik kablolarında kullanılmak için yeterlidir. Kauçuk benzeri polimerler ve birçok plastik bu gruba dâhildir. Bu tür malzemeler düşükten orta dereceli gerilimleri güvenli bir şekilde yalıtılmasına hizmet eder.

<span class="mw-page-title-main">Alan etkisi (fizik)</span>

Fizikte, Alan etkisi, elektriksel alanın uygulanması sonucu materyaldeki elektrik iletkenliğinin değişimidir. Bir metalde elektriksel alanın uygulandığı bölgenin elektron yoğunluğu yüksektir ve elektrik alan metalin içine çok kısa bir mesafede yayılabilir. Ancak bir yarı-iletken de elektriksel alanın uygulandığı bölgenin elektron yoğunluğu düşük olduğu için elektriksel alan metalin içinde uzun bir mesafeye yayılabilir. Bu yayılma yarı-iletkenin yüzeyine yakın olan kısımlarının iletkenliğini değiştirir ve buna Alan Etkisi denir. Alan etkisi, Schottky Diyotu ve Alan Etkisi Transistörünün, MOSFET, JFET ve MESFET’in, temelinde yatar.

<span class="mw-page-title-main">Cooper çifti</span>

Yoğun madde fiziğinde, Cooper iletken çifti veya bina kontrol sistemi (BCS) iletken çiftinin belli koşullarda düşük sıcaklıkla sınırlanmasının elektron iletkeni olduğu ilk kez 1956 yılında Amerikalı fizikçi Leon Cooper tarafından tanımlanmıştır. Metal bir kapta elektronlar arasında rastgele küçük bir etkileşimin Fermi enerjiden daha düşük bir enerji imkânı sağlayan ikili elektronların durumuna sebep olduğunu ve bu ikililik durumunun sınırlı olduğunu gösterdi. Konvensiyonel süper iletkenlerde, bu etkileşim elektro-fonondan kaynaklı olmasıdır. Cooper çifti için süper iletkenlik, 1979 yılında Nobel ödülü alan John Bardeen, Leon Cooper ve John Schrieffer tarafından ilerletilmiş BCS teorisinde tanımlanmıştır.

<span class="mw-page-title-main">Elektron göçü</span>

Elektron göçü, iletken elektronlar ve dağılmış metal atomları arasındaki momentum transferinden dolayı iletkendeki iyonların aşamalı hareketinden kaynaklanan materyalin taşınmasıdır. Bu etki, mikroelektronikler ve ilgili yapılar gibi yüksek doğru akım yoğunluklarının kullanıldığı uygulamalarda çok önemlidir. Mikroçipler gibi elektroniklerde boyut azaldıkça, bu etkinin pratik önemi artıyor.

<span class="mw-page-title-main">Elektronik bant yapısı</span>

Katı hal fiziğinde, bir katının elektron kuşak yapısı ; katıdaki bir elektronun sahip olabileceği enerji aralıkları ya da sahip olamayacağı enerji aralıkları olarak tanımlanır. Enerji bant teorisi bu bant ve bant boşluklarını atom veya moleküllerin büyük periyodik kafeslerindeki bir elektron için, izinli kuantum mekaniksel dalga fonksiyonlarını inceleyerek çıkarır. Bant teorisi katıların birçok fiziksel özelliklerini; örneğin elektriksel direnç ve optik soğurum gibi, açıklamak için başarılı bir biçimde kullanılmaktadır ve katı hal cihazları anlamanın temelini oluşturmaktadır.

<span class="mw-page-title-main">Yüksek sıcaklık süperiletkenliği</span> alışılmadık derecede yüksek sıcaklıklarda süper iletkenler gibi davranan malzeme

Yüksek sıcaklık süperiletkenleri, normalin üzerinde sıcaklıklarda süperiletken olarak davranan materyallerdir. İlk yüksek sıcaklık süperiletkeni, 1986’da IBM araştırmacıları Georg Bednorz ve K. Alex Müller tarafından keşfedilmiştir ve 1987’de seramik materyalindeki yüksek iletkenlik keşfinde önemli atılımlarından dolayı Nobel Fizik Ödülü ile ödüllendirilmişlerdir. Sıradan ya da metalik süperiletkenler genellikle 30 Kelvin (-243,15 °C) altında geçiş sıcaklıklarına sahipken yüksek sıcaklık süperiletkenleri 138 K (-135,15 °C) kadar iletkenlik sıcaklıklarıyla gözlemlenir. 2008’e kadar sadece belirli bakır ve oksijen bileşiklerinin (kupratlar) yüksek sıcaklık süperiletkenlik özelliklerine sahip olduğuna inanılıyordu ve yüksek sıcaklık süperiletkenlik terimi bizmut, stronsiyum, kalsiyum, itriyum, baryum gibi bileşikler için bakır oksijen süperiletkenleri yerine kullanılıyordu; fakat şu an birçok demir bileşiğinin yüksek sıcaklıklarda süperiletkenliği biliniyor.

<span class="mw-page-title-main">Elektriksel özdirenç ve iletkenlik</span> Wikimedia anlam ayrımı sayfası

Elektriksel öz direnç, belirli bir malzemenin elektrik akımının akışına karşı nicelleştiren bir özelliktir. Düşük bir direnç kolaylıkla elektrik akımının akışını sağlayan bir malzeme anlamına gelir. Karşıt değeri, elektrik akımının geçiş kolaylığını ölçen elektriksel iletkenliktir. Elektriksel direnç, mekanik sürtünme ile kavramsal paralelliklere sahiptir. Elektriksel direncin SI birimi ohm, elektriksel iletkenliğin birimi ise siemens (birim) (S)'dir.

Dejenere yarı iletken, malzemenin bir yarı iletkenden çok bir metal gibi davranmaya başladığı kadar yüksek bir katkı/ uyarılma seviyesine sahip bir yarı iletkendir. Dejenere olmayan yarı iletkenlerin aksine, bu tür yarı iletkenler, içsel taşıyıcı konsantrasyonunu sıcaklık ve bant aralığı ile ilişkilendiren kütle hareket yasasına uymaz.

<span class="mw-page-title-main">Elektron deliği</span>

Elektron deliği, fizik, kimya ve elektronik mühendisliğinde, bir atomda veya atomik kafeste bulunabilecek bir konumda elektron eksikliğidir. Normal bir atom veya kristal kafeste elektronların negatif yükü atom çekirdeğinin pozitif yükü ile dengelendiğinden, elektronun yokluğu deliğin bulunduğu yerde net bir pozitif yük bırakır.