İçeriğe atla

Gunn diyot

Gunn diyot, Aktarılan elektron cihazı (TED) olarak da bilinen, yüksek frekanslı elektronikte kullanılan negatif diferansiyel dirençli, iki terminalli yarı iletken bir elektronik bileşen olan bir diyot türüdür.

Fizikçi J. B. Gunn tarafından 1962 yılında keşfedilen Gunn etkisi'ne dayanmaktadır. Başlıca kullanım alanları, radar hız tabancaları, mikrodalga röle veri bağlantısı vericileri ve otomatik kapı açıcılar gibi uygulamalarda mikrodalgalar üretmek için elektronik osilatörlerdir.[1] Diğer diyotlar gibi PN bağlantısı yerine, n-tipi yarı iletken malzeme ile galyum arsenit "GaAs" veya indiyum fosfit "InP" kullanılarak oluşturulmuştur.

Bu diyotlar, PN diyotlar gibi doğrultma yapmak yerine osilatör olarak kullanılmaktadır. Çalışma frekansı 100 GHz gibi yüksek değerlere ulaşabildiği için radar, telekominikasyon gibi sistemlerin yanında, mikrodalga osilatör devrelerinde de kullanılmaktadır.

Kaynakça

  1. ^ Sze, S. M.; Ng, Kwok Kwok (2007). Physics of semiconductor devices. Third edition. Hoboken, NJ: Wiley-Interscience. ISBN 978-0-471-14323-9. 

İlgili Araştırma Makaleleri

<span class="mw-page-title-main">Elektronik devre elemanları</span> elektronik devreyi meydana getiren ögeler

Elektronik devre elemanları, elektrik devresinin çalışabilmesi için kullanılan parçalara denir. Aktif ve pasif devre elemanları olarak iki gruba ayrılır.

<span class="mw-page-title-main">Diyot</span> Yalnızca bir yönde akım geçiren devre elemanı.

Diyot, yalnızca bir yönde akım geçiren devre elemanıdır. Bir yöndeki dirençleri ihmal edilebilecek kadar küçük, öbür yöndeki dirençleri ise çok büyük olan elemanlardır.

<span class="mw-page-title-main">Yarı iletken</span> Normal şartlar altında yalıtkan iken belirli fiziksel etkilerde iletken duruma geçen madde

Yarı iletken üzerine yapılan mekanik işin etkisiyle iletken özelliği kazanabilen, normal şartlar altında yalıtkan olan maddelerdir.

<span class="mw-page-title-main">Transistör</span> Devre elemanı

Transistör veya geçirgeç girişine uygulanan sinyali yükselterek gerilim ve akım kazancı sağlayan, gerektiğinde anahtarlama elemanı olarak kullanılan yarı iletken bir elektronik devre elemanıdır. BJT çift birleşim yüzeyli transistördür. İki N maddesi, bir P maddesi (NPN) ya da iki P maddesi, bir N maddesi (PNP) birleşiminden oluşur. Transistör üç kutuplu bir devre elemanıdır. Devre sembolü üzerinde orta kutup Base (B), okun olduğu kutup Emitter (E), diğer kutup Collector(C) olarak adlandırılır. Base akımının şiddetine göre kollektör ve emiter akımları ayarlanır. Bu ayar oranı kazanç faktörüne göre değişir. Transistörler elektronik cihazların temel yapı taşlarındandır. Günlük hayatta kullanılan elektronik cihazlarda birkaç taneden birkaç milyara varan sayıda transistör bulunabilir.

Doğrultucu veya redresör, bir ya da daha fazla yarı iletken elemandan oluşan alternatif akımı doğru akıma çevirmek için kullanılan elektriksel bir devredir. AC' yi doğrultmak için tek bir diyot kullanıldığı zaman doğrultucu AC' yi DC' ye çeviren bir diyod olarak tanımlanır.

<span class="mw-page-title-main">Zener diyot</span> Uçlarına uygulanan gerilimi sabit tutmaya yarayan diyotlar

Zener diyot, P ve N tipi yarı iletken malzemelerden oluşmuştur, silikon yapılıdır. Uçlarına uygulanan gerilimi sabit tutmaya yarayan diyotlardır. Zener diyotlar belli bir gerilim değerine kadar akım geçirmezler. Bu gerilime kırılma ya da zener gerilimi (Vz) adı verilir. Devreye doğru yönde bağlandığı zaman normal bir diyot gibi çalışır. Ters yönde bağlandığı zaman ise kırılma gerilimine kadar iletime geçmez, kırılma gerilimi aşıldığında ise çığ etkisi şeklinde akım geçirir ve iletime geçer. Ters gerilim kalkınca, zener diyot da normal haline döner. Zener diyotlar ters polarlamada çalıştıkları için devreye ters bağlanırlar. Zener noktası değeri üretim aşamasında katkı maddesi miktarı ayarlanarak belirlenir.

<span class="mw-page-title-main">Magnetron</span>

Magnetron birçok radar cihazında kullanılan gönderme tüpüdür.

Yarı metaller, metallerle tepkime verirken ametal, ametallerle tepkime verirken de metal gibi davranır. Genellikle kristal yapıda bulunurlar. Ayrıca yarı iletken özellikleri vardır. Diyot ve transistör gibi modern elektroniğin temel parçalarının ham maddeleridirler. Bor, Silisyum, Germanyum, Arsenik, Antimon, Tellür ve Polonyum, yarı metallere örnektir. Bu elementlerin fiziksel özellikleri metallere, kimyasal özellikleri ametallere benzer.

<span class="mw-page-title-main">Elektronik</span> elektrik kullanarak bilgi işleyen, taşıyan veya depolayan elemanları ve sistemleri inceleyen bilim dalı

Elektronik, elektronları ve diğer elektrik yüklü parçacıkları yönlendiren cihazları tasarlamak, oluşturmak ve çalıştırmak için fizik prensiplerini inceleyen ve uygulayan bir bilim ve mühendislik disiplinidir. Elektronik, transistörler, diyotlar ve entegre devreler gibi aktif cihazları kullanarak elektrik akımının akışını kontrol etmek ve yükseltmek ve onu bir formdan diğerine, örneğin alternatif akımdan (AC) doğru akıma (DC) veya analog sinyallerden dijital sinyallere dönüştürmek için kullanan fizik ve elektrik mühendisliğinin bir alt alanıdır.

<span class="mw-page-title-main">Pin diyot</span>

Pin diyot, P+-I-N+ yapıya sahip diyotlardır. P+ ve N+ bölgelerinin katkı maddesi oranları yüksek ve I bölgesi büyük dirençlidir.

Mikrodalga, 1 metre ile 1 milimetre arasında değişen dalga boyları ile bir elektromanyetik radyasyon biçimidir. 300 MHz (100 cm) ve 300 GHz (0,1 cm) arasındaki frekansları kapsar. Mikrodalgalar elektromanyetik dalga olarak yayılırlar, radarlarda, mikrodalga fırınlarında, cep telefonlarında, kablosuz İnternet erişiminde, bluetooth kulaklıklarında, mağaza güvenlik sistemlerinde mikrodalga frekansları kullanılır. "Mikrodalga" sözü elektromanyetik dalga boyunun 1 metreden kısa olduğu frekansları tanımlar. Dalga boyunun 1 cm'den kısa olduğu frekanslara "milimetrik" dalga ismi de verilir. Dalga boyunun 1 mm'den kısa olduğu frekanslara (300-3.000 GHz) "submilimetrik" dalga ismi verilir.

<span class="mw-page-title-main">MOSFET</span> Elektronik devre bileşeni

Metal oksit yarı iletken alan etkili transistör bir tür alan etkili transistör (FET)’dür ve daha çok silisyum'un kontrollü oksitlenmesi ile üretilir. Voltajı cihazın iletkenliğini belirleyen yalıtımlı bir kapısı vardır. Uygulanan voltaj miktarıyla iletkenliği değiştirme özelliği, elektronik sinyal’lerin güçlendirilmesi veya değiştirilmesi için kullanılabilir.

Mikrodalga diyotları, mikrodalga frekansları; uzay haberleşmesi, kıtalar arası televizyon yayını, radar, tıp, endüstri gibi çok geniş kullanım alanları vardır. Giga Hertz (GHz) mertebesindeki frekanslardır.

<span class="mw-page-title-main">Fotodiyot</span> p-n bağlantısına dayalı fotodetektör türü

Fotodiyot, görünür ışık, kızılötesi veya ultraviyole radyasyon, X ışınları ve gama ışınları gibi foton radyasyonuna duyarlı bir yarı iletken diyottur. Fotodiyot, fotonları emdiğinde akım veya voltaj Fotovoltaikleri üreten bir PN yarı iletken malzemedir.Semiconductor Optoelectronics .

Vakum tüpü ya da elektron tüpü, elektronik devrelerde kullanılan bir grup devre elemanıdır. Tüplerin pek çok cinsi vardır. Yirminci yüzyılın ilk yarısında bütün elektronik devrelerde kullanılmışlarsa da, yarı iletken teknolojisinin gelişmesi sonucunda kullanım alanları daralmıştır.

<span class="mw-page-title-main">Entegre devre</span> genellikle silikondan yapılmış yarı iletken maddeler ile tasarlanmış metal bir levha üzerine yerleştirilen elektronik devreler grubu

Entegre devre, entegre, tümdevre, yonga, kırmık, çip, mikroçip ya da tümleşik devre; genellikle silisyumdan yapılmış yarı iletken maddeler ile tasarlanmış, metal bir levha üzerine yerleştirilen ve bir muhafaza ile kaplanan elektronik devreler grubudur. Entegreler, komponentleri ayrık olan elektronik devrelerden genellikle daha küçük boyutludur. Entegre devreler çok küçük bir alanda milyarlarca transistör ve elektronik devre elemanı içerecek kadar küçültülebilir. Bir devre içerisindeki her bir iletken sıranın genişliği teknolojinin elverdiği ölçüde küçültülebilir. Entegre devreler küçük boyutu, hafifliği ve kullanım kolaylığı ile günümüzün modern elektronik sektöründe çok önemli bir yer tutmaktadır.

<span class="mw-page-title-main">UJT transistorü</span>

UJT tek bileşimli transistör. Özellikle transistörlerin iletken yapılması için geliştirilmiş bir yarı iletken elektronik devre elemanıdır. Kontrollü olarak akımı tek yönde ileten bir transistor türüdür. Çoğunlukla periyodik tetiklemeler için bir Osilatör devresi ya da doğrusal testere dişi dalga üretmek için kullanılır.

<span class="mw-page-title-main">Avalanş diyot</span>

Avalanş diyot elektronik devrelerde kullanılan bir yarı iletken diyot türüdür. Diyoda adını veren avalanş (avalanche) Batı dillerinde çığ anlamına gelir.

<span class="mw-page-title-main">Elektron deliği</span>

Elektron deliği, fizik, kimya ve elektronik mühendisliğinde, bir atomda veya atomik kafeste bulunabilecek bir konumda elektron eksikliğidir. Normal bir atom veya kristal kafeste elektronların negatif yükü atom çekirdeğinin pozitif yükü ile dengelendiğinden, elektronun yokluğu deliğin bulunduğu yerde net bir pozitif yük bırakır.

<span class="mw-page-title-main">Oleg Vladimirovich Losev</span> Russian scientist and inventor

Oleg Vladimirovich Losev yarı iletken bağlantılar ve ışık yayan diyot (LED) alanında önemli keşifler yapan bir Rus bilim insanı ve mucitidir.